3.

真空極限

4.

升壓率

設備升壓率：≤0.8Pa/h（12小時平均值）；

設備保壓：停泵12小時后，設備真空度≤10Pa；

5.

抽速

6.

工作氣路系統

7.

膜厚不均勻性

8.

控制方式

對缺水進行報警并執行相應保護措施；完善的邏輯程序互鎖保護系統；

1. 真空室組件上焊有各種規格的法蘭接口

   
   

CF63法蘭接口：1個（觀察窗口）；

2. CF16法蘭接口：2個（1路進氣管路、放氣閥）；

3. CF200法蘭接口：1個（接分子泵）；

4. RF20法蘭接口：2個（用來安裝磁控靶和靶擋板）；

5. CF100法蘭接口：1個（用來安裝樣品臺）；

6. CF35法蘭接口：5個（接高真空電離規管、旁抽口、陶封引線,備用2個）；

7. CF16法蘭接口：2個（備用）。

2. 旋轉基片臺  1套

1. 基片尺寸和數量：直徑≤180 mm，數量≥1片；

2. 水冷區域為180mm，基片溫度：室溫～40°C±1°C，由熱電偶閉環反饋控制，可控可調，可絕緣密封承受-1000 V高壓；

3. 基片公轉由調速電機驅動，0～30 轉/分連續可調（轉動速度）；

4. 進口SMC轉角氣缸樣品擋板組件 1套；

5. 基片臺定位精度(X/Y/Z軸)：≤±10μm ；

6. 重復定位精度(X/Y/Z軸)：≤±/5μm；

7. 移動速度(X/Y/Z軸)：≥200/200/80mm/s ；

8. A軸擺動行程：≥+/-60°；

9. C軸旋轉行程：0-360°。溫,速率、保持溫度、保持時間；通過熱電偶的反饋信號，實現加熱溫度自動控制；

1. 靶材尺寸：Ф100mm；

2. 提供試用靶材：鈦和銅測試靶材各≥1塊；

3. 永磁靶2套，2套靶對射頻濺射與直流濺射均兼容，靶內水冷；

4. 進口SMC旋轉氣動控制擋板組件：3套；

5. 靶在上，向下向心濺射，共焦磁控濺射靶（濺射靶角度可調），分布在一個圓周上，各靶可獨立/順次/共同工作；

6. 100 W全自動調諧射頻電源1臺；

7. 1000 W脈沖直流電源1臺；

8 -1000 V脈沖偏壓直流電源1臺；

9 靶基距60～110 mm可調，可手動連續調節；兩靶共濺射，靶可擺角度，角度為0～35℃。

1. CF100玻璃窗口：1塊；CF63玻璃窗口：1塊；

2. CF35陶瓷封接引線法蘭：2個（照明及內烘烤引線）；

3.盲法蘭：CF16：1個；CF35：2個。

1. 復合分子泵及變頻控制電源：1臺（FF200/1300，1300 L/s，）；

2. 機械泵： 1臺（≥14 L/s，）；

3. KF40氣動角閥：2臺；

4. 機械泵與真空室之間的旁抽管路：1套；

5. CF200電動閘板閥：1臺（用于復合分子泵與真空室隔離）；

6. KF16氣動角閥：2臺；

7. 壓差式充氣閥：1臺。

1. 濺射室真空度采用復合真空計進行測量（量程1×105 Pa～1×10-7 Pa）；

2. 鍍膜采用薄膜規進行測量（精度 0.5%）；

1. 在實驗鍍膜模式情況下，可實現一鍵啟動抽空到達工作真空度后，手動進行鍍膜參數設置，實驗結束后一鍵自動充氣，此時系統處于開環控制狀態；

2. 系統提供計算機實時通訊，顯示記錄真空度以及加熱溫度PID調節設定；

3. 系統提供計算機實時通訊，設定顯示直流電源、射頻電源功率參數調整，氣體流量控制調節，制定工藝菜單及自動記錄設定各項工藝參數存儲；

4. 系統提供計算機MFC的工藝氣體穩壓控制調節；

5. 計算機設定顯示擋板狀態、樣品轉速等。

1 濺射室極限真空度：≤6.0×10-6 Pa (經烘烤除氣后)； 

2系統真空檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.L/S；

3系統從大氣開始抽氣：濺射室25分鐘可達到7.0×10-4 Pa；

4系統停泵關機12小時后真空度：≤2 Pa；

5濺射樣品片內膜厚不均勻度：≤ ±3%（同一樣品中心直徑75 mm范圍內隨機取膜厚測試點，≥5個測試點）；

6濺射樣品片間膜厚不均勻度：≤ ±3%（不同樣品中心直徑75 mm范圍內隨機取膜厚測試點，不同批次樣品總數≥5個，每個樣品上≥2個測試點）。